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(N+P)-MOSFET
Part
Vds Min (V)
ID (A)
RDS(on) (mΩ)
PD (W)
Vgs (±V)
Vth (V)
Ciss (pF)
Qg (nC)
Configuration
Package
HYG110N11LS1S
115
14
13.5
8.3
20
1~3
2806
46.9
single - N
SOP8L
HY029N10P
100
270
3.3
394.7
20
2~4
10800
148.7
single - N
TO-220FB-3L
HY029N10B6
100
280
3
405
20
2~4
10800
150
single - N
TO-263-6L
HY3810B6
100
218
4.4
375
25
2~4
7874
208
single - N
TO-263-6L
HY029N10B
100
270
3.3
394.7
20
2~4
10800
148.7
single - N
TO-263-2L
HY3810P
100
180
5.5
346
25
2~4
7889
185
single - N
TO-220FB-3L
HY3810B
100
180
5.5
346
25
2~4
7889
185
single - N
TO-263-2L
HY3810W
100
180
5.5
366
25
2~4
7500
193
single - N
TO-247A-3L
HY3810NA2P
100
180
5.5
348
25
2~4
7409
159.2
single - N
TO-220FB-3L
HY3810NA2B
100
180
5.5
348
25
2~4
7409
159.2
single - N
TO-263-2L
HYG035N10NS2B
100
180
4
220
20
2~4
7270
115
single - N
TO-263-2L
HYG035N10NS2P
100
180
4
220
20
2~4
7270
115
single - N
TO-220FB-3L
HY3410P
100
140
7.5
285
25
2~4
6140
130
single - N
TO-220FB-3L
HYG037N10LS1B
100
150
4.2
176.5
20
1.2~2.5
6070
110
single - N
TO-263-2L
HY3410NA2P
100
140
7
288
20
2~4
6835
133
single - N
TO-220FB-3L
HYG042N10NS1P
100
160
4.2
200
20
2~4
7040
119
single - N
TO-220FB-3L
HYG042N10NS1B
100
160
4.2
200
20
2~4
7040
119
single - N
TO-263-2L
HY3410B
100
140
7.5
285
25
2~4
6140
130
single - N
TO-263-2L
HYG050N10NS1P
100
135
5.2
189.8
20
2~4
6359
100
single - N
TO-220FB-3L
HYG045N10NS1P
100
160
4.5
250
20
2~4
7877
177
single - N
TO-220FB-3L
HY3210P
100
120
8.5
237
25
2~4
4922
120
single - N
TO-220FB-3L
HY3210B
100
120
8.5
237
25
2~4
4922
120
single - N
TO-263-2L
HY3010P
100
100
12
192
25
2~4
3100
76
single - N
TO-220FB-3L
HY3010B
100
100
12
192
25
2~4
3100
76
single - N
TO-263-2L
HYG072N10LS1C2
100
80
7.5
75
+20/-12
1~3
2980
56
single - N
PDFN8L(5x6)
说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;
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