深圳市优富瑞明科技有限公司

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(N+P)-MOSFET

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;
Part Vds Min (V) ID (A) RDS(on) (mΩ) PD (W) Vgs (±V) Vth (V) Ciss (pF) Qg (nC) Configuration Package
HYG170C03LR1S 30/-30 9.5/-8 16.5/30 3.0/3.0 20/20 1~3 /-1~-3 446/1210 13.7/18.5 N+P SOP8L
HYG110C03LR1D4 30/-30 25/-17 14/30 21/21 20/20 1~3 /-1~-3 762/1300 15.9/20.2 N+P TO-252-4L