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(N+P)-MOSFET
Part
Vds Min (V)
ID (A)
RDS(on) (mΩ)
PD (W)
Vgs (±V)
Vth (V)
Ciss (pF)
Qg (nC)
Configuration
Package
HYG080NH03LR1C1
30
31/33
11/9.5
21.4/21.4
20/20
1~3 /1~3
709/966
16/23.2
Half Bridge
DFN8L(0303)
说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;