说明：ID在TC=25℃测得；PD在TC=25℃测得；RDS在10V最大值条件下测得；Ciss为典型值；Qg为典型值；

Part	Vds Min (V)	ID (A)	RDS(on) (mΩ)	PD (W)	Vgs (±V)	Vth (V)	Ciss (pF)	Qg (nC)	Configuration	Package
HYG850PD02KA1C6	-20	-3.5	N/A	2	10	-0.4~-1	582	7.2	Dual - P	DFN6L(0202)