深圳市优富瑞明科技有限公司

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(N+P)-MOSFET

名称:HYG170C03LR1S

参数:

Vds Min (V):30/-30

ID@TC=25℃(A):9.5/-8

RDS(on) Max 10V(mΩ):16.5/30

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):24.5/55

PD@TC=25℃ (W):3.0/3.0

Vgs(±V):20/20

Vth (V):1~3 /-1~-3

Ciss Typ(pF):446/1210

Qg Typ(nC):13.7/18.5

Configuration: N+P

Package:SOP8L

Status:

关键词:HYG170C03LR1S,HUAYI,SOP8L,AOS4606

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;