深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG050N10NS1P

参数:

Vds Min (V):100

ID@TC=25℃(A):135

RDS(on) Max 10V(mΩ):5.2

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):N/A

PD@TC=25℃ (W):189.8

Vgs(±V):20

Vth (V):2~4

Ciss Typ(pF):6359

Qg Typ(nC):100

Configuration:single - N

Package:TO-220FB-3L

Status:

关键词:HYG050N10NS1P,HUAYI,TO-220FB-3L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;