深圳市优富瑞明科技有限公司

深圳市优富瑞明科技有限公司

P-MOSFET

名称:HYG090P03LA1C1

参数:

Vds Min (V):-30

ID@TC=25℃(A):-40

RDS(on) Max 10V(mΩ):9.5

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):14

PD@TC=25℃ (W):25

Vgs(±V):20

Vth (V):-1~-3

Ciss Typ(pF):2992

Qg Typ(nC):60

Configuration:single - P

Package:DFN8L(0303)

Status:

关键词:HYG090P03LA1C1,HUAYI,DFN8L(0303),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;