深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG013N04NA1B6

参数:

Vds Min (V):40

ID@TC=25℃(A):354

RDS(on) Max 10V(mΩ):1.3

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):N/A

PD@TC=25℃ (W):326

Vgs(±V):20

Vth (V):2~4

Ciss Typ(pF):12097

Qg Typ(nC):265

Configuration:single - N

Package:TO-263-6L

Status:

关键词:HYG013N04NA1B6,HUAYI,TO-263-6L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;