深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG023N03LR1C2

参数:

Vds Min (V):30

ID@TC=25℃(A):125

RDS(on) Max 10V(mΩ):2

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):2.8

PD@TC=25℃ (W):62.5

Vgs(±V):20

Vth (V):1~3

Ciss Typ(pF):4710

Qg Typ(nC):93

Configuration:single - N

Package:PDFN8L(5x6)

Status:

关键词:HYG023N03LR1C2,HUAYI,PDFN8L(5x6),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;