深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG082N03LR1C1

参数:

Vds Min (V):30

ID@TC=25℃(A):32

RDS(on) Max 10V(mΩ):9

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):13.5

PD@TC=25℃ (W):21.4

Vgs(±V):20

Vth (V):1~3

Ciss Typ(pF):787

Qg Typ(nC):14.8

Configuration:single - N

Package:DFN8L(0303)

Status:

关键词:HYG082N03LR1C1,HUAYI,DFN8L(0303),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;